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SiC 和 GaN 半導(dǎo)體材料分析、輔助材料、工藝及裝備驗(yàn)證平臺(tái)-華普通用

發(fā)表日期:2021/12/02 瀏覽次數(shù):

SiC 和 GaN 半導(dǎo)體材料分析、輔助材料、工藝及裝備驗(yàn)證平臺(tái)

  需求與必要性

  經(jīng)過(guò)近 10 年的發(fā)展,我國(guó)基本建立了以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導(dǎo)體材料分析、工藝和裝備產(chǎn)業(yè)體系。該類(lèi)材料緊密?chē)@光電子、新能源、 5G 等熱點(diǎn)應(yīng)用,在未來(lái) 5 年內(nèi)將迎來(lái)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的重要機(jī)遇。

  然而,同第一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)類(lèi)似,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展依然面臨諸多問(wèn)題,如產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)所用的關(guān)鍵裝備、儀器、耗材等多為進(jìn)口,尚未實(shí)現(xiàn)技術(shù)、裝備的自主可控,增加了產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的不安全性;國(guó)產(chǎn)化裝備、儀器、耗材難以與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用對(duì)接,不利于產(chǎn)業(yè)生態(tài)和各環(huán)節(jié)的健康發(fā)展;進(jìn)口材料和裝備一次性投入和后續(xù)維護(hù)價(jià)格昂貴等。為此,需要建立化合物半導(dǎo)體材料、輔助材料、工藝和裝備國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證平臺(tái)。

  工程目標(biāo)

  建立 SiC 和 GaN 半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、加工、芯片工藝和封裝檢測(cè)公共驗(yàn)證平臺(tái),實(shí)現(xiàn) 6 in / 8 in SiC 單晶襯底和外延材料生長(zhǎng)的批量生產(chǎn),國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 70%;6 in SiC 上 GaN 外延材料與高功率射頻器件和 8 in Si 上 GaN 外延材料與功率器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 70%;部分 6 in / 8 in 材料生長(zhǎng)及加工裝備、配套原材料和零部件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化批量替代,裝備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 70%。

  工程任務(wù)

  化合物半導(dǎo)體材料、輔助材料、工藝和裝備國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證平臺(tái)的工程任務(wù)主要包括:晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備及其輔助原材料、零部件驗(yàn)證,晶體材料切、磨、拋加工材料與設(shè)備驗(yàn)證,芯片工藝裝備、工藝流程、原輔料與關(guān)鍵零部件驗(yàn)證,封裝與檢測(cè)裝備、流程、原輔料與關(guān)鍵零部件驗(yàn)證。

  晶體材料生長(zhǎng)設(shè)備及其輔助原材料、零部件驗(yàn)證

  多數(shù)化合物半導(dǎo)體材料仍處于技術(shù)開(kāi)發(fā)與突破、產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證的階段,相關(guān)企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)對(duì)于單晶生長(zhǎng)技術(shù)與設(shè)備、各類(lèi)原材料、零部件等的驗(yàn)證有很大需求。特別是隨著技術(shù)的發(fā)展,新材料、新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn),該驗(yàn)證平臺(tái)將會(huì)促進(jìn)協(xié)同研究,加速技術(shù)升級(jí)和完善,降低研發(fā)和驗(yàn)證成本。

  通過(guò)建立針對(duì)不同材料采用不同原理(如 SiC 單晶籽晶升華法、液相外延法,GaN 的氫化物氣相外延法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相外延法、氨熱法等)的單晶生長(zhǎng)爐,開(kāi)展對(duì)長(zhǎng)晶新技術(shù)、新裝備、輔助原材料和關(guān)鍵零部件的研究與驗(yàn)證。

  晶體的切、磨、拋加工材料與設(shè)備驗(yàn)證

  化合物半導(dǎo)體普遍具有硬度高、化學(xué)性能穩(wěn)定的特點(diǎn),加工難度大,而后續(xù)的外延和芯片工藝又對(duì)晶體加工提出了更高要求。因此,建立晶體的切、磨、拋加工材料與設(shè)備驗(yàn)證平臺(tái),具備不同材料和不同原理加工能力,并能對(duì)加工材料、加工方法和裝備進(jìn)行驗(yàn)證。

  芯片工藝裝備、工藝流程、原輔料與關(guān)鍵零部件驗(yàn)證

  新建 6 in / 8 in SiC、6 in / 8 inGaN 工藝平臺(tái),或者運(yùn)用政府采購(gòu)的服務(wù)方式將已有工藝平臺(tái)變?yōu)楣补に嚻脚_(tái),為研發(fā)機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供相應(yīng)服務(wù)。這些平臺(tái)需具備的功能和能力為:提供小批量芯片工藝代工,定制化工藝流程開(kāi)發(fā),國(guó)產(chǎn)化原輔料、零部件和工藝裝備等新技術(shù)、新產(chǎn)品測(cè)試和驗(yàn)證,并根據(jù)需要進(jìn)行長(zhǎng)期運(yùn)行考核。

  封裝與檢測(cè)裝備、流程、原輔料與關(guān)鍵零部件驗(yàn)證

  面向電力電子、微波射頻等不同應(yīng)用需求,建立具備高壓、大功率、高頻、高溫封裝等特性的能力,構(gòu)建器件與模塊燒結(jié)、焊接、壓接、3D 封裝等多種封裝技術(shù)平臺(tái)。研發(fā)具備國(guó)際領(lǐng)先水平的燒結(jié)、焊接、壓接、3D 封裝設(shè)備、輔助設(shè)備和測(cè)試設(shè)備,并能夠開(kāi)展模具設(shè)計(jì)、材料(如絕緣材料、互聯(lián)材料、底板材料等)選擇、技術(shù)開(kāi)發(fā)、設(shè)備保障、測(cè)試分析以及可靠性驗(yàn)證。

  進(jìn)行平臺(tái)系統(tǒng)軟件的開(kāi)發(fā)以及數(shù)據(jù)庫(kù)建設(shè),聯(lián)合上下游企業(yè)開(kāi)展共性技術(shù)研發(fā),共享專(zhuān)利和服務(wù)成果,形成開(kāi)放、共享的運(yùn)行機(jī)制。平臺(tái)需提供小批量的封裝和測(cè)試代工,定制化的封裝技術(shù)開(kāi)發(fā),國(guó)產(chǎn)化原輔料、零部件和封裝裝備等新技術(shù)、新產(chǎn)品的測(cè)試和驗(yàn)證,并根據(jù)需要安排長(zhǎng)期運(yùn)行考核。


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